您的位置首页 >社会动态 >

新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录

导读 财联社7月18日电,据美国趣味科学网站16日报道,来自美国麻省理工学院、美国陆军作战能力发展司令部(DEVCOM)陆军研究实验室和加拿大渥...

财联社7月18日电,据美国趣味科学网站16日报道,来自美国麻省理工学院、美国陆军作战能力发展司令部(DEVCOM)陆军研究实验室和加拿大渥太华大学等机构的科学家,利用名为三元石英的晶体材料,成功研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。薄膜厚度仅100纳米,约为人头发丝直径的千分之一。其中电子的迁移速度创下新纪录,约为传统半导体的7倍。这一成果有助科学家研制新型高效电子设备。相关论文发表于《今日材料物理学》杂志。

来源:财联社

标签:

免责声明:本文由用户上传,如有侵权请联系删除!