内存和闪存产品制造商朗科宣称，他们将提供速度超过10,000 MHz的游戏级DDR5内存。该公司OEM昨天宣布，与其他几家存储器制造商一样，他们也收到了他们的第一批DDR5 DRAM补丁。
朗科接收第一批DDR5 DRAM，声称将提供10,000 MHz以上的游戏DDR5内存
ITHome从Netac得知他们已经从美光获得了第一批DDR5 DRAM。有了这一首批产品，朗科可以正式进入基于DDR5 DRAM的内存产品的开发阶段。
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该公司收到的DDR5 DRAM具有IFA45 Z9ZSB产品代码，该代码是基于美光网站信息的ES IC。每个DRAM具有2Gx8的容量，并额定在CL40时序下运行。DDR5 DRAM芯片基于1znm节点，尺寸为11x9mm或99mm2。
朗科目前提供一些DDR4内存产品，但他们声称提供速度超过10,000 MHz的游戏级DDR5内存。看到Netac实现这一点将很有趣，因为DDR5的固有速度将达到4800 MHz，而达到10,000 MHz则意味着将提供两倍的速度。由于DDR4内存的起始频率为2133 MHz，这并非没有可能，而且我们已经看到一些制造商提供了额定频率高达DDR4-5333 MHz的套件，这些套件可以通过一些超频专业知识进一步推向DDR4-6000 MHz以上。
T-Force此前曾表示，在超频支持方面，DDR5内存具有更大的电压调整空间。这主要是由于升级后的电源管理IC(PMIC)允许电压超过2.6V。还详细说明了现有的DDR4内存模块通过主板处理其电压转换，但随着新的DRAM标准而改变。电压转换所需的组件现在移至内存DIMM本身，从而减少了电压磨损和噪声产生，同时为超频提供了更大的空间。
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